一、 投融資信息

1、此芯科技完成數(shù)億元A+輪融資，國調(diào)基金領(lǐng)投

近日，通用智能CPU公司此芯科技宣布，完成數(shù)億元人民幣A+輪融資。本輪融資由國調(diào)基金領(lǐng)投，昆山國投、吉六零資本、新尚資本跟投。該輪融資將主要用于持續(xù)的產(chǎn)研投入及業(yè)務(wù)落地，尤其是AI PC領(lǐng)域的創(chuàng)新技術(shù)研發(fā)。

2、安建半導(dǎo)體獲超2億元C1輪融資，SiC模塊封裝產(chǎn)線在建

根據(jù)市場調(diào)研發(fā)現(xiàn)，4月8日，安建半導(dǎo)體宣布C1輪融資圓滿收官，獲得超過2億元融資，由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。募集資金將主要用于開發(fā)及量產(chǎn)汽車級IGBT與SiC MOS產(chǎn)品平臺，擴(kuò)建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產(chǎn)線，擴(kuò)充銷售及其他人才團(tuán)隊(duì)，增加營運(yùn)現(xiàn)金流儲備等。

3、盈鑫半導(dǎo)體完成天使輪融資

近日，盈鑫半導(dǎo)體完成天使輪融資，投資方為東莞科創(chuàng)集團(tuán)。盈鑫半導(dǎo)體是一家綜合型CMP制程材料供應(yīng)商，聚焦于泛半導(dǎo)體領(lǐng)域的卡脖子材料的國產(chǎn)替代。主要產(chǎn)品有無蠟吸附墊、拋光研磨墊等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于第一、二、三代半導(dǎo)體、藍(lán)寶石和消費(fèi)電子行業(yè)。

4、半導(dǎo)體檢測設(shè)備供應(yīng)商煜輝半導(dǎo)體近億元融資

近日國內(nèi)半導(dǎo)體檢測設(shè)備供應(yīng)商常州煜輝半導(dǎo)體設(shè)備有限公司已順利完成近億元A輪融資。本輪融資由國內(nèi)投資頭部企業(yè)——深圳市創(chuàng)新投資集團(tuán)有限公司及紅土一號私募股權(quán)投資基金共同出資完成。本輪融資將用于下一代掩模檢測機(jī)臺STORM 5000、前道晶圓檢測Tornado 3000的研發(fā)及生產(chǎn)制造，下一代機(jī)型將應(yīng)用于半導(dǎo)體制造更高制程，滿足國內(nèi)大多數(shù)客戶業(yè)務(wù)需求。

5、芯擎科技宣布完成數(shù)億元B輪融資 用于7納米車規(guī)級芯片

3月28日，湖北芯擎科技有限公司（簡稱“芯擎科技”）宣布順利完成數(shù)億元的B輪融資，由中國國有企業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整基金二期基金領(lǐng)投，基石資本等跟投，融資資金將用于已規(guī)?；┴浀?納米車規(guī)級芯片“龍鷹一號”的進(jìn)一步量產(chǎn)和供貨、基于“龍鷹一號”的高端智能座艙及艙行泊一體方案的市場推廣，以及全場景高階智駕新品AD1000的測試驗(yàn)證和市場導(dǎo)入。

二、頭部企業(yè)動態(tài)

1、納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產(chǎn)品，該產(chǎn)品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規(guī)與工規(guī)兩種等級。 納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩(wěn)定性、門極驅(qū)動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統(tǒng)、光伏和儲能系統(tǒng)(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領(lǐng)域。

2、300億元三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目投產(chǎn)在即

總投資約300億元的三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目建設(shè)廠房已實(shí)現(xiàn)主體結(jié)構(gòu)封頂，目前正在修建周邊配套外墻。重慶三安相關(guān)負(fù)責(zé)人介紹稱，項(xiàng)目主廠房僅用5個(gè)多月實(shí)現(xiàn)封頂，正在進(jìn)行室內(nèi)裝修和設(shè)備采購，預(yù)計(jì)今年8月將實(shí)現(xiàn)點(diǎn)亮投產(chǎn)，比原計(jì)劃提前2個(gè)月。

3、廣鋼氣體全年總營收18.35億元，同比增長19.20%

3月26日，廣鋼氣體發(fā)布2023年年報(bào)，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入18.35億元，同比增長19.20%，歸母凈利潤3.20億元，同比增長35.73%。具體來看，廣鋼氣體2023年全年實(shí)現(xiàn)總營收18.35億元，同比增長19.20%。成本端營業(yè)成本11.92億元，同比增長25.41%，費(fèi)用等成本3.09億元，同比增長9.46%。營業(yè)總收入扣除營業(yè)成本和各項(xiàng)費(fèi)用后，歸母凈利潤3.20億元，同比增長35.73%。

4、華強(qiáng)電子網(wǎng)攜手騰訊企點(diǎn)重磅發(fā)布電子行業(yè)解決方案——芯采通

2024年4月12日，由華強(qiáng)電子網(wǎng)主辦的“2024半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢大會暨2023年度（第十六屆）華強(qiáng)電子網(wǎng)優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商&電子元器件行業(yè)優(yōu)秀國產(chǎn)品牌頒獎盛典”同期千人會場隆重發(fā)布由華強(qiáng)電子網(wǎng)與騰訊企點(diǎn)攜手打造的聯(lián)合產(chǎn)品：電子行業(yè)企點(diǎn)QQ——“芯采通”。

5、威邁芯材100噸半導(dǎo)體高端光刻材料項(xiàng)目奠基

3月26日，威邁芯材(合肥)半導(dǎo)體有限公司年產(chǎn)100噸半導(dǎo)體高端光刻材料項(xiàng)目奠基儀式在合肥新站高新區(qū)舉行。威邁芯材(合肥)半導(dǎo)體有限公司是蘇州威邁的全資子公司，位于合肥新站高新區(qū)潁州路與龍子湖路交口，占地面積共50畝，總投資3億元，旨在打造國內(nèi)最大的高端半導(dǎo)體DUV級別(ArF/KrF)的光刻膠核心主材料量產(chǎn)基地。

6、營收漲“30倍+"！又一家SiC相關(guān)廠商擬A股IPO！

4月9日，上交所官網(wǎng)披露，拉普拉斯新能源科技股份有限公司（以下簡稱拉普拉斯）首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊申請已在3月27日獲批生效。拉普拉斯此次IPO擬募資18億元，募集資金主要用于光伏高端裝備研發(fā)生產(chǎn)總部基地項(xiàng)目、半導(dǎo)體及光伏高端設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目以及補(bǔ)充流動資金。其中，光伏和半導(dǎo)體兩個(gè)項(xiàng)目投資總額分別為7.70億元、7.98億元，擬使用募集資金投入金額均為6億元。

7、天岳先進(jìn)成立“長三角-天岳國家技術(shù)創(chuàng)新中心”

近日上海臨港報(bào)道，“長三角國家技術(shù)創(chuàng)新中心-天岳半導(dǎo)體聯(lián)合創(chuàng)新中心”舉行了揭牌儀式。長三角-天岳國家技術(shù)創(chuàng)新中心將以企業(yè)為主體、市場為導(dǎo)向，通過產(chǎn)學(xué)研用深度融合實(shí)現(xiàn)從科學(xué)到技術(shù)的轉(zhuǎn)化，將國家戰(zhàn)略部署與長三角區(qū)域創(chuàng)新需求有機(jī)結(jié)合，共同推動碳化硅半導(dǎo)體領(lǐng)域關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)，助力長三角一體化高質(zhì)量快速發(fā)展，用科技創(chuàng)新發(fā)展新質(zhì)生產(chǎn)力。

8、6月竣工交付！華為又一大項(xiàng)目，加碼半導(dǎo)體

總用地面積約2400畝、總建筑面積約200萬平方米、總投資超百億的華為青浦研發(fā)中心將于2024年6月竣工交付。華為青浦研發(fā)中心作為華為重點(diǎn)研發(fā)基地，將承擔(dān)終端芯片、無線網(wǎng)絡(luò)和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域的研發(fā)任務(wù)，未來將有3.5萬名科技研發(fā)人員進(jìn)駐。園區(qū)內(nèi)還有主要芯片開發(fā)中心和華為芯片設(shè)計(jì)部門海思半導(dǎo)體新總部，同時(shí)也有無線技術(shù)和智能手機(jī)研究中心。

9、睿創(chuàng)微納獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種紅外探測器芯片晶圓及紅外探測器”

睿創(chuàng)微納（688002）新獲得一項(xiàng)實(shí)用新型專利授權(quán)，專利名為“一種紅外探測器芯片晶圓及紅外探測器”，專利申請?zhí)枮镃N202322225803.4，授權(quán)日為2024年3月26日。專利摘要：本申請公開了一種紅外探測器芯片晶圓及紅外探測器其封裝結(jié)構(gòu)，紅外探測器芯片晶圓包括襯底晶圓、外延層、層間介質(zhì)、集成電路、與集成電路相連的微測輻射熱計(jì)；集成電路處設(shè)有貫穿層間介質(zhì)、外延層及襯底晶圓的通孔，通孔的側(cè)壁設(shè)有絕緣層，通孔內(nèi)填充有導(dǎo)電材料，以使集成電路與導(dǎo)電材料相連。

10、世紀(jì)金芯宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！

4月9日，世紀(jì)金芯宣布他們實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！合肥世紀(jì)金芯半導(dǎo)體有限公司基于設(shè)備、工藝、熱場、原料、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)等多方面的長期技術(shù)積累，突破了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2024年2月，世紀(jì)金芯半導(dǎo)體8英寸SiC加工線正式貫通并進(jìn)入小批量生產(chǎn)階段，在8英寸SiC襯底量產(chǎn)方向更進(jìn)一步。

11、中科大港已資不抵債，將進(jìn)行破產(chǎn)清算

3月25日，大港股份發(fā)布公告稱，公司審議通過了《關(guān)于擬申請控股子公司江蘇中科大港激光科技有限公司破產(chǎn)清算的議案》，鑒于控股子公司江蘇中科大港激光科技有限公司多年經(jīng)營虧損，已出現(xiàn)資不抵債且不能清償?shù)狡趥鶆?wù)的情況，為更好的聚焦主業(yè)發(fā)展，及時(shí)處置不良資產(chǎn)，維護(hù)公司及公司股東的合法權(quán)益，公司董事會同意公司全資子公司鎮(zhèn)江港源水務(wù)有限責(zé)任公司以債權(quán)人身份向法院申請中科大港破產(chǎn)清算。

12、英飛凌與安靠宣布共建芯片封測中心

當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月8日，英飛凌(Infineon)稱正在加強(qiáng)其在歐洲的外包后端制造業(yè)務(wù)，并宣布與半導(dǎo)體封裝和測試服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商安靠(Amkor)達(dá)成多年合作伙伴關(guān)系。雙方計(jì)劃在安靠位于葡萄牙波爾圖的生產(chǎn)基地運(yùn)營一個(gè)專用的半導(dǎo)體封裝和測試中心，預(yù)計(jì)將于2025年上半年開始運(yùn)營。

13、蔚來自研SiC模塊C樣正式完成下線

4月7日，芯聯(lián)集成在公眾號宣布蔚來&芯聯(lián)集成合作伙伴大會暨蔚來自研SiC模塊C樣下線。今年1月份，芯聯(lián)集成與蔚來簽署了碳化硅模塊產(chǎn)品的長期供貨協(xié)議。此次下線儀式的舉辦也標(biāo)志著蔚來自研SiC模塊成熟度進(jìn)一步提升，更近一步接近量產(chǎn)。

14、華為公司申請半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，華為技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件及其制備方法“，公開號CN117747642A，申請日期為2022年9月。專利摘要顯示，本申請?zhí)峁┝艘环N半導(dǎo)體器件及其制備方法，實(shí)現(xiàn)了第一電極層與外延層的歐姆接觸，減小了歐姆接觸的接觸電阻率，有助于減小半導(dǎo)體器件的導(dǎo)通電阻，進(jìn)而降低半導(dǎo)體器件的功率損耗。半導(dǎo)體器件可以包括外延層、摻雜層、介質(zhì)層和第一電極層。

15、武漢鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器項(xiàng)目竣工 總投資10億元

4月1日，由武漢鑫威源電子科技有限公司總投資10億元打造的大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目竣工儀式在大橋智能制造產(chǎn)業(yè)園舉行。大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目主要建設(shè)基于半導(dǎo)體化合物（GaN）技術(shù)的大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器生產(chǎn)線。目前，已完成廠房及配套裝修，正在進(jìn)行各類設(shè)備儀器調(diào)試，計(jì)劃2025年1月正式投產(chǎn)。

16、江豐電子與韓國牙山市政府成功簽約 共建現(xiàn)代化半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地

4月2日，江豐電子（300666）官方微信公眾號發(fā)布消息稱，近日，公司與韓國牙山市政府成功簽署了投資合作協(xié)議，計(jì)劃投資3.5億元在牙山市新建一座現(xiàn)代化的半導(dǎo)體靶材生產(chǎn)工廠。這一合作協(xié)議的簽署標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的合作正式進(jìn)入實(shí)質(zhì)性階段。建成后的工廠將專注于高端半導(dǎo)體靶材的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，致力于提供高品質(zhì)、高性能的半導(dǎo)體材料。

17、正達(dá)半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目落戶浙江 總投資12億元

3月31日，在浙江省桐廬經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)招商引資項(xiàng)目簽約儀式上，“激光切割設(shè)備及年產(chǎn)100萬片SiC襯底生產(chǎn)項(xiàng)目”“激光焊接設(shè)備及新能源水冷板焊接研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目”正式簽約落戶桐廬經(jīng)開區(qū)。該項(xiàng)目由浙江正達(dá)半導(dǎo)體有限公司投資。項(xiàng)目將建成國內(nèi)首條激光剝片全自動生產(chǎn)線。

三、政策動態(tài)

1、我國支持科技創(chuàng)新主要稅費(fèi)優(yōu)惠政策指引

為使社會各界更加全面知悉科技創(chuàng)新稅費(fèi)優(yōu)惠政策、更加便捷查詢了解政策、更加準(zhǔn)確適用享受政策，推動政策紅利精準(zhǔn)高效直達(dá)各類創(chuàng)新主體，財(cái)政部會同科技部、海關(guān)總署、稅務(wù)總局等部門系統(tǒng)梳理現(xiàn)行支持科技創(chuàng)新的主要稅費(fèi)政策，搜集整理稅收征管規(guī)定和行業(yè)管理辦法等，編寫了《我國支持科技創(chuàng)新主要稅費(fèi)優(yōu)惠政策指引》，按照科技創(chuàng)新活動環(huán)節(jié)，從創(chuàng)業(yè)投資、研究與試驗(yàn)開發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展、全產(chǎn)業(yè)鏈等方面對政策進(jìn)行了分類，并詳細(xì)列明了每項(xiàng)優(yōu)惠的政策類型、涉及稅種、優(yōu)惠內(nèi)容、享受主體、申請條件、申報(bào)時(shí)點(diǎn)、申報(bào)方式、辦理材料、政策依據(jù)等內(nèi)容。

2、山東發(fā)布新政，加快實(shí)施集成電路“強(qiáng)芯”等十大工程

2023年12月29日，山東發(fā)布《關(guān)于加快實(shí)施“十大工程”推動新一代信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的指導(dǎo)意見》，在重點(diǎn)領(lǐng)域上，全力實(shí)施集成電路“強(qiáng)芯”、高端軟件“鑄魂”、先進(jìn)計(jì)算“固鏈”等十大工程，提出各細(xì)分領(lǐng)域主要著力點(diǎn)和2025年具體目標(biāo)，加快打造發(fā)展新優(yōu)勢。

研精畢智市場調(diào)研網(wǎng)隸屬于北京研精畢智信息咨詢有限公司（英文簡稱：XYZResearch），是國內(nèi)領(lǐng)先的市場調(diào)研、企業(yè)研究、行業(yè)研究及細(xì)分市場研究、研究報(bào)告服務(wù)供應(yīng)商。分析師團(tuán)隊(duì)通過有效分析復(fù)雜數(shù)據(jù)和各類渠道信息，助力客戶深入了解所關(guān)注的細(xì)分市場，包括市場空間、競爭格局、市場進(jìn)入策略、用戶結(jié)構(gòu)等，包括深度研究目標(biāo)企業(yè)組織架構(gòu)，市場策略、銷售結(jié)構(gòu)、戰(zhàn)略規(guī)劃、專項(xiàng)調(diào)研等，幫助企業(yè)做出更有價(jià)值的商業(yè)決策。

一、投融資信息
1、此芯科技完成數(shù)億元A+輪融資，國調(diào)基金領(lǐng)投
2、安建半導(dǎo)體獲超2億元C1輪融資，SiC模塊封裝產(chǎn)線在建
3、 盈鑫半導(dǎo)體完成天使輪融資
4、半導(dǎo)體檢測設(shè)備供應(yīng)商煜輝半導(dǎo)體近億元融資
5、芯擎科技宣布完成數(shù)億元B輪融資 用于7納米車規(guī)級芯片
二、頭部企業(yè)動態(tài)
1、納芯微發(fā)布首款1200V SiC MOSFET
2、300億元三安意法半導(dǎo)體項(xiàng)目投產(chǎn)在即
3、廣鋼氣體全年總營收18.35億元，同比增長19.20%
4、華強(qiáng)電子網(wǎng)攜手騰訊企點(diǎn)重磅發(fā)布電子行業(yè)解決方案——芯采通
5、威邁芯材100噸半導(dǎo)體高端光刻材料項(xiàng)目奠基
6、營收漲“30倍+"！又一家SiC相關(guān)廠商擬A股IPO！
7、天岳先進(jìn)成立“長三角-天岳國家技術(shù)創(chuàng)新中心”
8、6月竣工交付！華為又一大項(xiàng)目，加碼半導(dǎo)體
9、睿創(chuàng)微納獲得實(shí)用新型專利授權(quán)：“一種紅外探測器芯片晶圓及紅外探測器”
10、世紀(jì)金芯宣布實(shí)現(xiàn)了8英寸SiC關(guān)鍵技術(shù)突破！
11、中科大港已資不抵債，將進(jìn)行破產(chǎn)清算
12、英飛凌與安靠宣布共建芯片封測中心
13、蔚來自研SiC模塊C樣正式完成下線
14、華為公司申請半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，降低半導(dǎo)體器件的功率損耗
15、武漢鑫威源大功率藍(lán)光半導(dǎo)體激光器項(xiàng)目竣工 總投資10億元
16、江豐電子與韓國牙山市政府成功簽約 共建現(xiàn)代化半導(dǎo)體材料生產(chǎn)基地
17、正達(dá)半導(dǎo)體SiC襯底項(xiàng)目落戶浙江 總投資12億元
三、政策動態(tài)
1、我國支持科技創(chuàng)新主要稅費(fèi)優(yōu)惠政策指引
2、山東發(fā)布新政，加快實(shí)施集成電路“強(qiáng)芯”等十大工程