
一、芯片(原材料/存儲芯片/應用領域)
1、芯德科技揚州晶圓級芯粒先進封裝基地項目封頂
據(jù)市場調研發(fā)現(xiàn),8月13日,芯德科技宣布揚州晶圓級芯粒先進封裝基地項目于8月8日迎來了具有里程碑意義的重要時刻——主體結構順利封頂。芯德科技指出,作為一座專注于2.5D/3D等尖端先進封裝技術的現(xiàn)代化智能制造工廠,揚州基地的即將投入使用,無疑將為公司注入強大的市場活力,顯著增強了公司先進封裝領域的競爭優(yōu)勢。該工廠不僅代表了行業(yè)技術的最前沿,更將憑借高效的智能制造流程、精湛的工藝控制以及持續(xù)的技術創(chuàng)新能力,為公司開辟更廣闊的市場空間。
2、上海RISC-V數(shù)字基礎設施生態(tài)創(chuàng)新中心揭牌
8月10日,上海RISC-V數(shù)字基礎設施生態(tài)創(chuàng)新中心(以下簡稱“上海RDI生態(tài)創(chuàng)新中心”)正式揭牌成立,并與上海臨港投控集團簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。該創(chuàng)新中心旨在聚合RISC-V生態(tài)鏈伙伴資源、探索RISC-V在各垂直行業(yè)場景的創(chuàng)新應用,助推RDI(RISC-V Digital Infrastructure,RISC-V數(shù)字基礎設施)創(chuàng)新生態(tài)和產業(yè)的發(fā)展。
3、英飛凌:全球最大8英寸碳化硅晶圓廠啟動
8月8日,功率半導體大廠英飛凌宣布,已正式啟動位于馬來西亞新晶圓廠的第一階段,該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的200毫米(8英寸)碳化硅(SiC)功率半導體晶圓廠,預計2025年開始量產。
該晶圓廠的第一階段投資額為20億歐元,以碳化硅為主力,還將包括氮化鎵(GaN)外延;第二階段投資額高達50億歐元,將打造全球最大、最高效的200毫米SiC功率晶圓廠。
二、政策梳理
珠海出臺《促進集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策措施》
【海南省珠海市人民政府辦公廳發(fā)布《促進集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策措施》】8月6日,海南省珠海市人民政府辦公廳發(fā)布《促進集成電路產業(yè)發(fā)展的若干政策措施》,《政策措施》提出,支持EDA(電子設計自動化)工具購買租用及研發(fā)、支持MPW(多項目晶圓)及工程首輪流片、鼓勵車規(guī)級認證、支持開源生態(tài)建設。其中,對開展MPW流片的企業(yè),按照不超過流片費用的70%給予補貼,年度最高300萬元;對完成工程產品量產前全掩膜首輪流片的企業(yè),按照不超過首輪流片費用的50%給予補貼,年度最高500萬元,其中采用14納米及以下工藝的,年度最高可達800萬元。在推進制造業(yè)補鏈強鏈方面,主要是支持制造業(yè)企業(yè)轉型升級,支持集成電路制造業(yè)企業(yè)開展技術改造,提升高端化、集約化、智能化、綠色化水平。
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