
一、芯片(原材料/存儲(chǔ)芯片/應(yīng)用領(lǐng)域)
1、乾晶半導(dǎo)體與中宜創(chuàng)芯簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研發(fā)現(xiàn),1月2日,平煤神馬集團(tuán)旗下中宜創(chuàng)芯與乾晶半導(dǎo)體簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方將在推進(jìn)行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新、高層次人才培養(yǎng)、以及SiC材料質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)建設(shè)等方面開展合作。乾晶半導(dǎo)體6英寸SiC襯底已經(jīng)通過(guò)客戶驗(yàn)證,工藝技術(shù)將轉(zhuǎn)入衢州生產(chǎn)基地開展產(chǎn)業(yè)化,項(xiàng)目擬月產(chǎn)6英寸SiC襯底5千片,計(jì)劃于2024年二季度達(dá)產(chǎn)。同時(shí),乾晶半導(dǎo)體8英寸SiC晶體生長(zhǎng)技術(shù)于2023年四季度轉(zhuǎn)入蕭山研發(fā)中心進(jìn)行中試。隨著衢州生產(chǎn)基地項(xiàng)目一期到三期的建成達(dá)產(chǎn),乾晶半導(dǎo)體將逐步實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)60萬(wàn)片6/8英寸SiC襯底產(chǎn)能。
2、支持7200MT/s速率,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代RCD芯片
1月5日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,以應(yīng)對(duì)新一代服務(wù)器平臺(tái)對(duì)內(nèi)存速率和帶寬不斷攀升的需求。除了RCD芯片以外,瀾起科技還提供DDR5數(shù)據(jù)緩沖器(DB)、串行檢測(cè)集線器(SPD Hub)、溫度傳感器(TS)、電源管理芯片(PMIC)等內(nèi)存接口及模組配套芯片。這些芯片也是DDR5內(nèi)存模組的重要組件,可配合RCD芯片為DDR5內(nèi)存模組提供多種必不可少的功能和特性。
3、高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目啟動(dòng)
1月1日,黃石市國(guó)資公司按照投資協(xié)議約定,向中科光芯打款2億元。目前,中科光芯(湖北)光電科技有限公司已在黃石完成注冊(cè),標(biāo)志著由福建中科光芯光電科技有限公司投資建設(shè)的高速率光芯片及光通信核心器件生產(chǎn)基地項(xiàng)目正式啟動(dòng),預(yù)計(jì)“五一”前建成投產(chǎn)。該項(xiàng)目總投資10億元,將帶動(dòng)黃石光通信產(chǎn)業(yè)鏈突破升級(jí),填補(bǔ)湖北省高速率光芯片及光通信核心器件領(lǐng)域空白,與武漢中信科集團(tuán)、光迅科技等龍頭企業(yè)形成協(xié)同配套。
二、政策梳理
六部委對(duì)集成電路部分材料免于辦理進(jìn)口許可等證明
【公安部、商務(wù)部、國(guó)家衛(wèi)生健康委、應(yīng)急管理部、海關(guān)總署和國(guó)家藥品監(jiān)管局發(fā)布《關(guān)于對(duì)含γ-丁內(nèi)酯部分特定產(chǎn)品優(yōu)化服務(wù)管理措施的公告》】12月28日,公安部、商務(wù)部、國(guó)家衛(wèi)生健康委、應(yīng)急管理部、海關(guān)總署和國(guó)家藥品監(jiān)管局發(fā)布《關(guān)于對(duì)含γ-丁內(nèi)酯部分特定產(chǎn)品優(yōu)化服務(wù)管理措施的公告》,公告明確“對(duì)γ-丁內(nèi)酯含量低于60%(含)的光刻膠、聚酰亞胺取向液、稀釋劑、感光液、防反射薄膜生成液,免于辦理進(jìn)口許可;免于辦理國(guó)內(nèi)購(gòu)買和運(yùn)輸備案證明。”公告自2024年1月1日起施行。
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